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第一章 概论 第一章测试
1、 摩尔定律将遇到前所未有的挑战，挑战不包含哪个（）
答案: 互连延时降低，互连能耗减小
2、 到今年为止，工艺尺寸还在scaling down吗？
答案: 是的，目前最新工艺已进展到10nm、7nm
3、 你认为数字集成电路最重要的三大指标是什么？
答案: 速度;
功耗;
面积
4、 摩尔定律预测单个芯片上的晶体管数目每2年会增加一倍
答案: 正确
5、 VLSI芯片内部处理的是模拟信号
答案: 错误
6、 集成电路行业之所以追求摩尔定律的高速发展，是因为对技术奖进步的追求，最看重的是特征尺寸下降带来的技术提高。
答案: 错误
分析：成本驱动也是重要因素
第二章 MOS晶体管原理 第二章测试
1、 下面哪个图是增强型NMOS转移特性曲线
答案: 
2、 以下哪个条件是线性区的条件
答案: 
3、 MOS晶体管的电学本质：电压控制电流源
答案: 正确
4、 MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率。
答案: 错误
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